LITHO的工艺流程

1、wafer预处理：湿法清洗 -> 去离子水清洗，去掉wafer表面的污染物获残留物

2、涂光阻coating

3、soft bake前烘，目的是减少光刻胶中的溶剂，100度烤1分钟

4、曝光exposure，光刻机是最贵的

分三种光：i line，KrF，ArF区别在于光的波长不同，适用的场景不同

stepper vs scanner，Stepper通常具有更高的精度和更小的尺寸控制，适用于制造高精度和高密度的小型芯片

5、PEB（post exposure bake）后烘，目的是通过加热让光刻胶中的光化学反应充分完成

6、develop and rinse 显影和冲洗

7、hard bake 如果后续是干法刻蚀，这步可以省略

8、measure 分为overlay和SEM

overlay衡量前后两次光刻工艺中不同层电路图案的对准精度

SEM关注的是单层图案尺寸精度CD